【IT168 资讯】此前我们报道称台积电将在45nm之后32nm之前上马过渡性的40nm制程工艺，现在看来并不是这么回事：台积电要跳过45nm直接上马40nm！

　　台湾半导体制造公司（ TSMC ）今日宣布，他们将开始为客户提供40nm芯片代工服务。公司原本打算采用45nm工艺，但是在AMD、 IBM和Intel已经采用45nm工艺的情况下，台积电宣布放弃45nm工艺，转向采用更加先进的40nm工艺为客户代工。

　　据悉，台积电40nm工艺将有侧重功耗的40LP和侧重性能的40G两个方案，其中40LP工艺将主要用来生产无线通信芯片和移动芯片，40G工艺将主要来代工游戏机芯片、图形芯片和其它高性能芯片。

　　台积电40nm工艺采用极端低介电系数材料和193nm浸没光刻工艺，目前他们已经拿出了40nm的SRAM试验芯片，芯片尺寸0.242微米业界最小，密度是台积电之前的65nm工艺的2.35倍。

　　目前台积电的主要客户包括AMD、Broadcom、Conexant、NVIDIA与VIA、SUN等，台积电没有透露其40nm工艺客户，不过鉴于55nm时代的先例，我们有理由相信，未来的第一款40nm显卡芯片会是来自AMD的。