【IT168 资讯】早前映众曝光了旗下采用DirectFET MosFET的GeForce GTX 560 Ti显卡，并表示将陆续推出采用DirectFET MosFET的显卡产品。近日，其再次曝光了一款新产品，就是采用DirectFET MosFET的GeForce GTX 580显卡。

▲映众新款GTX580

▲PCB设计

▲PCB背面

　　映众表示，目前这款显卡仍然处于工程样板阶段，具体的规格和频率参数仍未确定。不过可以肯定的是，这款显卡将采用映众的“钛合力”供电技术，配置DirectFET MosFET、铁素体电感和全固态电容，供电能力相当强悍。

▲DirectFET MosFET仍是曝光的GTX580中的亮点

　　据曝光的照片显示，这款GeForce GTX 580显卡将采用非公版设计，供电相数不少于8相，每相供电均配置了一上一下设计的DirectFET MosFET、铁素体电感和固态电容。据称，DirectFET MosFET拥有体积小、转换效率较高、封装感抗\阻抗与发热较低的特色，更适合中高端显卡使用。

▲IDT芯片扩展，能够支持四屏输出

　　除了采用“钛合力”供电外，该款显卡还配置了2个DVI接口和2个HDMI接口，支持组建4屏输出系统。目前该款GeForce GTX 580显卡仍然处于工程样板阶段，我们将对其保持关注，更多信息可留意我们的后续报道。