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供电部分方面，产品使用了日系三洋贴片封装的SVP固态聚合物电容，核心部分实用两相供电，使用全封闭式的陶瓷封装电感器，每相供电使用4组Mosfet分流，有效分散了发热。
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显存供电方面，采用了独立一个相的供电方案，与核心供电部分分离，设计在显卡的后部。
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核心方面，我们可以了解到核心的生产周期为07年45周生产，也就是11月底左右才出来的核心，相当“新鲜”。
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显存方面，采用了1.2ns单颗容量为64MB的三星GDDR3颗粒。
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