产品资讯：景钛HD-583X-ZN   1799元

推荐理由：纤巧散热下的强大性能，采用成本很高的QFN封装Drmos，更加节能。

景钛 RadeonHD5830显卡

景钛 RadeonHD5830显卡

　　全球首款亮相的RadeonHD5830显卡来自景钛，新锐AIB品牌景钛是首批发布RadeonHD5830显卡的品牌之一，从RadeonHD5000系列开始，每款A卡产品最快亮相和上市几乎都来自景钛，可谓在市场里面抢足眼球。。

　　另外该款RadeonHD5830所使用的PCB相信同样也能满足RadeonHD5850和RadeonHD5870的需求，也就是说我们将在稍后时间很快就会见到景钛非公版的RadeonHD5850和HD5870，售价也将会降低。

　　RadeonHD5830核心采用和RadeonHD5850/5870一样的Cypress核心，采用40nm工艺制造，拥有1120个流处理器单元，运行频率在800MHz。这块RadeonHD5830的核心生产周期为2010年第2周，相比之下，RadeonHD5850/5870第一批晶片生产周期为09年37周左右，可见RadeonHD5830核心的周期相当新。

　　这款RadeonHD5830采用三星品牌的GDDR5显存，由于德国奇梦达已经倒闭，所以ATI转而找到显存巨头三星合作。景钛RadeonHD5830与RadeonHD5850采用完全一样的显存规格：-0.4ns的三星GDDR5颗粒，正面8颗32Mx32bit显存颗粒一共组成了1024M/256Bit的显存规格。从理论上来看0.4ns颗粒的工作频率为5000MHz，而RadeonHD5830的显存官方默认频率仅为4000Mhz，所以在显存方面RadeonHD5830有着很大的超频空间。

在输出接口附近的1相显存供电

尾部的4相核心供电+1相显存供电

　　景钛的RadeonHD5830一共采用4+1+1相供电配置，4相核心供电部分和其中一相显存供电集中在PCB尾部，翻开散热片后我们发现景钛的RadeonHD5830并没有采用传统D-PAK的MOSFET，而是采用成本很高的QFN封装Drmos。

　　Drmos较多在微星的主板上出现，在显卡上使用率并不高。景钛RadeonHD5830上的Drmos来自日本瑞萨半导体公司，其中R2J20602型号的Drmos是瑞萨第二代研发的Drmos。Drmos是封装技术、硅技术、高集成技术等进步的产物，和一般MOSFET最大的区别在于Drmos集成了驱动IC和MOSFET（Driver IC+MOSFET），所以叫Drmos。

DrMOS的主要特点是：

- 采用QFN56无脚封装，热阻抗很低。
- 采用内部引线键合以及铜夹带设计，尽量减少外部PCB布线，从而降低电感和电阻。
- 采用先进的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺，显著降低传导、开关和栅极电荷损耗。
- 兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持APS（Auto Phase Switching）。

　　散热器的外观设计仍然是一如既往的拉风，这得益于景钛和讯景的设计团队都来自国外顶尖水平的设计师。

　　整个散热器的设计构造有点象RadeonHD5700系列公版散热器，采用单热管环型回流焊接工艺，散热传递效能较一般的穿fin工艺要高。虽然该散热器整体体积不如全罩式的庞大，风道没有设计成统一排出机箱，但散热效能仍然保持优秀水平。

　　接口全部采用全屏蔽设计，在RadeonHD5800和HD5700系列上都常见到这样的处理。

　　接口采用双DVI+HDMI+Displayport的全面配置，因为拥有Displayport借口，所以这款RadeonHD5830能支持基本的3屏输出功能，但不支持6屏输出。

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