P897公版方案设计（点此查看大图）

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　　55nm工艺版本的GT200核心仍然采用了全封闭封装，所以我们无法直接比较新旧工艺间核心面积的大小。从G200-105-B3序列号中的B3我们可以判断出其使用了55nm工艺制造，NVIDIA习惯使用A代表初始工艺版本，而B则代表新工艺版本。

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　　和当初G80发布之时一样，由于核心本身已无法容纳下RAMDAC和TMDS，因此GeForce GTX275的RAMDAC与TMDS模块仍然采用了外置设计，芯片型号NVIO2，其最大特点是支持Dual Dual-link DVI，也就是可以实现双路2560×1600输出，此外GeForce GTX275同样支持HDCP，用户同样也可将音频信号通过SPDIF输入显卡，再使用DVI转HDMI转接头同时传输音频及视频信号。

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　　核心/显存供电部分采用了4+2相配置，全面使用日系富士通的固态聚合物电容，电感采用了成本较高的贴片式封装，电器性能较一般的直插式电感要好。每相安排了三个TO封装的MOS管，有效分流了发热量。

　　采用了hynix -0.8ns GDDR3显存，14颗16M x32bit显存全部放置在正面，组成896MB/448bit的显存规格。